【共发射极放大电路】共发射极放大电路是电子技术中最基本、应用最广泛的晶体管放大电路之一。它利用双极型晶体管（BJT）的共射接法，实现对输入信号的电压放大。该电路结构简单，性能稳定，在低频放大器中广泛应用。
一、共发射极放大电路的基本组成
共发射极放大电路主要由以下部分组成：
| 元件 | 功能说明 |
| 晶体管（NPN或PNP） | 核心放大元件，用于实现信号的电压放大 |
| 偏置电阻（R1、R2） | 为晶体管提供合适的静态工作点 |
| 集电极电阻（RC） | 将放大的电流信号转换为电压信号输出 |
| 发射极电阻（RE） | 稳定工作点，防止温度变化引起失真 |
| 耦合电容（C1、C2） | 隔直通交，保证输入输出端直流电位独立 |
| 旁路电容（CE） | 对交流信号短路，提高电压增益 |
二、共发射极放大电路的特点
| 特点 | 描述 |
| 电压增益高 | 相比其他接法，具有较高的电压放大能力 |
| 输入阻抗中等 | 一般在几千欧至几十千欧之间 |
| 输出阻抗较高 | 通常与集电极电阻有关 |
| 相位反相 | 输入信号与输出信号相位相反 |
| 易受温度影响 | 需要合理设计偏置电路以稳定工作点 |
三、共发射极放大电路的优缺点
| 优点 | 缺点 |
| 结构简单，易于设计和调试 | 温度稳定性较差，需加RE或旁路电容改善 |
| 电压增益高 | 输入输出阻抗不匹配时可能产生失真 |
| 应用广泛，适合多种场合 | 对电源波动敏感，需稳压处理 |
四、典型参数计算（示例）
假设使用NPN晶体管，参数如下：
- β = 100
- Vcc = 12V
- R1 = 10kΩ
- R2 = 2.2kΩ
- RC = 2.2kΩ
- RE = 1kΩ
- CE = 10μF
通过估算可得：
| 参数 | 计算值 |
| VB | 约 2.5V |
| VE | 约 1.8V |
| IE | 约 1.8mA |
| IC | 约 1.8mA |
| VCE | 约 6.6V |
| AV（电压增益） | 约 -40（负号表示反相） |
五、总结
共发射极放大电路以其高电压增益和结构简单而成为模拟电子电路中的重要组成部分。尽管存在一定的温度漂移问题，但通过合理选择偏置电阻和加入旁路电容，可以有效改善其性能。在实际应用中，该电路常用于音频放大、信号调理等场景，是学习电子技术的基础内容之一。