5G需要高性能的易失性和非易失性存储器

预计5G技术将提供无线通信，其延迟小于1毫秒，吞吐量比现有4G网络快50倍。

这种速度将为实现令人难以置信的多媒体和视频体验奠定基础。但是，要充分利用这些功能，就需要一个高性能的存储系统，该系统必须能够满足5G速度和存储要求。

为了实现5G的快速下载，我们需要一个大容量，快速的存储设备。例如，考虑流式传输UHD内容。在这种情况下，我们的移动设备将需要在后台临时缓冲视频。

这需要具有与网络一样快的读/写操作的大内存。下图说明了2D平面NAND闪存无法满足当今无线通信的需求。

一种克服闪存瓶颈的短期解决方案可以是3D NAND技术，其中堆叠的存储管芯层可以提高内存容量和性能。

高性能闪存仅是5G内存挑战的一半。甚至基于LPDDR4的芯片组也将被5G设备应处理的大量数据推到极限。如果没有改进的RAM内存，我们将具有较低的视频分辨率，令人沮丧的延迟和有限的功能。

什么是多芯片封装?

随着我们达到摩尔定律的尽头，我们需要依靠其他技术来改善电子系统的性能。这些技术之一可能是多芯片封装，它将不同的芯片以堆叠的方式放置在同一封装内。这种封装技术的最新示例是三星的3D IC技术。

下图显示了堆叠的产品，其中三个不同的模具彼此粘在一起。

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