在反铁磁材料中存储信息

美因茨大学的研究人员表明，信息可以存储在反铁磁材料中，并可以测量书写操作的效率。

人们存储越来越多的信息，而终端设备却变得越来越小。但是，由于技术的不断改进，基于硅的常规电子设备已达到物理极限，例如位大小或存储信息所需的电子数量。自旋电子学，尤其是反铁磁材料，提供了另一种选择。在自旋电子学中，信息不仅存储在电子中，而且存储在电子的自旋和相关的磁矩中。这样，可以在相同的空间量中存储两倍的信息。然而，到目前为止，是否有可能在反铁磁材料中以电子方式存储信息一直存在争议。

约翰内斯·古腾堡大学美因茨大学(JGU)的研究人员与日本仙台东北大学合作，现已证明它是可行的：JGU的MathiasKläui教授小组的Marie Sklowdoska-Curie研究员Lorenzo Baldrati博士说：“不仅能够从根本上证明反铁磁材料中的信息存储是可能的，而且还能够测量在反铁磁绝缘材料中如何有效地电写入信息。”

为了进行测量，研究人员使用了反铁磁绝缘体氧化钴CoO，这种模型材料为将来的自旋电子学应用铺平了道路。结果是：电流比磁场更有效地操纵反铁磁性材料。这一发现为从无法被外部磁场擦除的智能卡到超高速计算机等各种应用打开了大门，这要归功于反铁磁优于铁磁。该研究论文最近发表在《物理评论快报》上。在进一步的步骤中，JGU的研究人员希望研究信息的保存速度和信息的紧凑程度。

MathiasKläui教授说：“我们与自旋电子学领域的领先大学-东北大学的长期合作，产生了另一项令人振奋的工作。” “在德国交流服务局，美因茨卓越材料科学研究生院和德国研究基金会的支持下，我们在美因茨与仙台之间进行了一次热烈的交流，并与这一主题的前沿理论小组合作。我们有机会在我们的大学之间获得第一学位，这是学生所注意到的。这是在反铁磁自旋电子学这个新兴领域组建一支国际卓越团队的下一步。”

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