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英特尔22纳米MRAM存储器已批量生产成熟

导读 最近花姐发现有诸多的小伙伴们对于英特尔22纳米MRAM存储器已批量生产成熟这个问题都颇为感兴趣的,大家也都想要及时了解到英特尔22纳

最近花姐发现有诸多的小伙伴们对于英特尔22纳米MRAM存储器已批量生产成熟这个问题都颇为感兴趣的,大家也都想要及时了解到英特尔22纳米MRAM存储器已批量生产成熟相关信息,那么花姐今天就来为大家梳理下具体的关于这个问题的一些消息吧。

EETimes的一份报告显示了英特尔的MRAM(磁阻随机存取存储器),适用于大规模生产。MRAM是一种非易失性存储技术,这意味着即使发生电源故障,它也可以保留信息,从而使其成为存储设备而不是标准RAM。

未来将开发MRAM存储器来替代DRAM存储器(RAM存储器)和NAND闪存。

MRAM有望更容易制造并提供卓越的性能。与NAND闪存技术相比,事实证明MRAM具有达到1 ns的响应时间的能力,优于目前公认的DRAM理论极限,并且写入速度要快得多(快达一千倍),这就是为什么这种存储器是如此重要。

它可以存储长达10年的信息,并且可以承受200摄氏度的高温

但是,技术问题尚不清楚。尽管仍然使用了99.9%的蓝色,但据称使用的是特殊的22FFL FinFET级光刻工艺,但它们并未透露有关该技术的任何细节。有趣的是,Wikichip专家认为这是该技术的14纳米开发版本,而不是22纳米,可能暗示了这个名称。除了英特尔MRAM的使用高斯现象外,我们对它的操作也不了解

英特尔22纳米MRAM存储器已批量生产成熟

利用当前功能,MRAM可以在125摄氏度和高电阻下实现10年的数据存储。除了高强度外,集成的22nm MRAM技术还获得了99.9%以上的比特率,这对于一个相对较新的技术来说是令人惊讶的性能。

目前尚不清楚为什么英特尔采用22纳米制程来制造这些内存,但是我们可以凭直觉说,这并不是要饱和其CPU处理器使用的14纳米产品。他们也没有评论我们要等多久才能看到这种记忆体在PC市场上的作用。

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